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参数目录34219
> BCR 503 E6327 TRANSISTOR NPN DGTL 50V SOT-23
型号:
BCR 503 E6327
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
TRANSISTOR NPN DGTL 50V SOT-23
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
BCR 503 E6327 PDF
产品目录绘图
SOT-23, TSFP-3 Pin Out
标准包装
3,000
系列
-
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大)
500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大)
50V
电阻器 - 基极 (R1)(欧)
2.2k
电阻器 - 发射极 (R2)(欧)
2.2k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
40 @ 50mA,5V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)
300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大)
-
频率 - 转换
100MHz
功率 - 最大
330mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装
PG-SOT23-3
包装
带卷 (TR)
产品目录页面
1621 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
BCR 503 E6327-ND
BCR503E6327BTSA1
BCR503E6327HTSA1
BCR503E6327INTR
BCR503E6327XT
SP000010839
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